Китай отстает от Южной Кореи по производству оперативной памяти на 5 лет

Электронный деловой журнал Business Korea подробно описал этот показатель во вторник, 31 мая. OERI оценивает инновационную дыру по двум составляющим. Это внешняя память и память DRAM.
В производстве оперативной памяти разрыв между китайской ChangXin Memory Technologies и корейскими Samsung Electronics и SK Hynix — 2 поколения.